
Транзисторы КТ503 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Характеристики транзистора КТ503:
Структура |
N-P-N |
Uк-э.макс. |
40В |
Uк-б.макс. |
60В |
Iк.макс. |
150мА |
Iк.макс.имп. |
350мА |
Pк.макс. |
0,35Вт |
Uэ-б.обр.макс. |
5В |
Iк.обр. (Uк=250В) |
<1мкА |
h21э |
80..240 |
Uк-э.насыщ. (Iк=1мА) |
<0,6В |
Cк |
<20пФ |
fгр. |
>5МГц |
Корпус |
ТО-92 |
Диапазон температур |
-40..+85°С |
