Микросхемы представляют собой усилители мощности звуковой частоты с выходной мощностью 1 Вт (К174УН4А) и 0,7 Вт (К174УН4Б) на нагрузке 4 Ом.
Содержат 32 интегральных элемента.
Корпус типа 201.9-1, масса не более 1,2 г.
Назначение выводов:
1 — коррекция выходов транзисторов;
2 — обратная связь;
4 — вход;
5 — фильтр;
6 — вольтодобавка;
7 — напряжение питания (+Uп);
8 — выход;
9 — напряжение питания (—Uп).
Общие рекомендации по применению
При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем.
Температура пайки 235±5 °С, расстояние от корпуса до места пайки не менее 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с.
При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена защита от случайного увеличения напряжения питания.
Эксплуатация микросхем допускается только с применением теплоотвода.
Для устранения высокочастотной генерации необходимо уменьшать индуктивность проводов, соединяющих вывод 7 с источником питания, использовать только короткие провода, экранировать провод, соединяющий вход микросхемы с генератором сигналов.
Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах может быть проведена изменением емкостей конденсаторов С2 и С5. Ослабление усиления на верхней граничной частоте 20 кГц — не более 3 дБ. Допускается регулировка коэффициента усиления напряжения с помощью изменение сопротивления резистора обратной связи R2 и емкости конденсатора С2.
Допустимое значение статического потенциала 200 В.
Электрические параметры
|
Параметры
|
Условия
|
К174УН4А
|
К174УН4Б
|
Ед. изм.
|
Аналог
|
—
|
ТАА300
|
ТАА300
|
—
|
Номинальное напряжение питания
|
—
|
9±10%
|
9±10%
|
В
|
Ток потребления
|
при Uп = 9 В
|
≤10
|
≤10
|
мА
|
Коэффициент усиления
|
при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Uвх = 0,1 В
|
4…40
|
4…40
|
—
|
Нестабильность коэффициента усиления напряжения
|
при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Т = +25…55 °С
|
≤20
|
≤20
|
%
|
Коэффициент гармоник
|
при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Uвых = 2 В
|
≤2
|
—
|
%
|
при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Uвых = 1,7 В
|
—
|
≤2
|
Входное сопротивление
|
при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц
|
≥10
|
≥10
|
кОм
|
Выходная мощность
|
при Rн = 40 мА
|
1
|
0,7
|
Вт
|
Диапазон рабочих частот
|
—
|
30…20×103
|
30…20×103
|
Гц
|
Коэффициент полезного действия
|
при Pвых = 1 Вт
|
50
|
—
|
%
|
при Pвых = 0,7 Вт
|
—
|
35
|
Тепловое сопротивление
|
кристалл—корпус
|
60
|
60
|
°С/Вт
|
кристалл—среда
|
135
|
135
|
Температура окружающей среды
|
—
|
-25…+55
|
-25…+55
|
°С
|
Предельно допустимые режимы эксплуатации
|
Параметры
|
Условия
|
К174УН4А
|
К174УН4Б
|
Ед.изм.
|
Напряжение питания
|
—
|
8,1…9,9
|
8,1…9,9
|
В
|
в предельном режиме
|
5,4…10
|
5,4…10
|
Выходное напряжение
|
—
|
≤2
|
≤1,7
|
В
|
в предельном режиме
|
2,2
|
1,87
|
Амплитуда тока в нагрузке
|
—
|
≤840
|
≤710
|
мА
|
в предельном режиме
|
900
|
750
|
Температура кристалла
|
—
|
+125
|
+125
|
°С
|